Parámetros ópticos y eléctricos; Caracterización de SiC JFET y MOSFET; Prototipado y caracterización de estructuras SIC MOS endurecidas por radiación; Piezas fotónicas en programas relacionados con la exploración de Marte
Nuevas metodologías de prueba: Combinado de temperatura y movimiento de vacío; Tensión combinada y temperatura extrema; Combinado de radiación y temperatura fría
Piezas de prueba de temperatura muy extrema: Evaluación de partes pasivas circundantes; Desarrollo de partes específicas; Desarrollo de partes específicas
Instalaciones de Prueba para Bakeout y temperaturas muy extremas; Las instalaciones actualizadas comprenden: 8 cámaras criogénicas con un rango de temperatura de -195ºC a + 400ºC y rampas de hasta 40ºC / min. Dimensiones hasta 90x50x35cm.
Este artículo describe los desarrollos de configuración y algunos de los resultados obtenidos para la caracterización de temperatura de -190ºC a más de + 300ºC de componentes pasivos normalmente utilizados para misiones espaciales, pero con un rango de temperatura de...
Tecnología de fabricación y estrategia de envasado para los diodos Schottky de carburo de silicio 300V-5A con un amplio rango de operación de temperatura (entre -170ºC y 300ºC). Estos diodos han sido diseñados para aplicaciones espaciales de ambientes severos, como las sondas de...
