Innovation Director
Tecnología de fabricación y estrategia de envasado para los diodos Schottky de carburo de silicio 300V-5A con un amplio rango de operación de temperatura (entre -170ºC y 300ºC). Estos diodos han sido diseñados para aplicaciones espaciales de ambientes severos, como las sondas de exploración internas del Sistema Solar.
El uso de tecnologías fotónicas para aplicaciones espaciales ha aumentado el problema relacionado con la capacidad de los componentes optoelectrónicos y ópticos para soportar el entorno espacial, ya que todos los componentes ópticos y optoelectrónicos provienen de aplicaciones terrestres. Por lo tanto, el desarrollo de tecnologías fotónicas para aplicaciones espaciales ha hecho imprescindibles los criterios de selección y aceptación de todos los componentes optoelectrónicos y ópticos que son parte del sistema fotónico. El documento presenta un resumen de la experiencia de Alter Technology Group en las pruebas mecánicas, térmicas, de radiación y de resistencia en varias tecnologías fotónicas.
Después de exponer los elementos clave sobre la evaluación de componentes optoelectrónicos para aplicaciones espaciales, donde el vacío térmico y otras restricciones ambientales tales como el rango de temperatura, radiación o vibración y ejemplos de características optoelectrónicas realizadas en nuestros laboratorios, se ha demostrado que Alter Technology es el mundo' s líder en ingeniería, pruebas y adquisición de componentes electrónicos de alta confiabilidad
Innovación en conferencias y publicaciones
Project developed in the frame of ESA TRP contract -Environmental characterization of different LC technologies -Design and manufacturing of EBB laser beam steering based on LC -Thermal, thermal vacuum, vibration and radiation tests
Strain measurements Load Tester coupled to a climatic chamber with a custom extension Climatic chamber Strain Gages Vacuum Thermal Cycling Bending and unbending in vacuum Monitoring each strain gage Temperature cycles in vacuum
CHARACTERIZATION OF RADIATION HARDENED SIC MOS STRUCTURES Key elements -Full characterization of several foundries comprising oxidation processing, packaging approach, etc. -To consolidate test methods and associated standards for SiC characterization
