El proceso de corte transversal proporciona acceso a la estructura interna, los materiales y el diseño del dispositivo. Estos componentes, tales como los diodos, los capacitadores y los chips de silicio, se someten con frecuencia a cortes transversales para detectar defectos que...
Tecnología de fabricación y estrategia de envasado para los diodos Schottky de carburo de silicio 300V-5A con un amplio rango de operación de temperatura (entre -170ºC y 300ºC). Estos diodos han sido diseñados para aplicaciones espaciales de ambientes severos, como las sondas de...
Los diodos ASER se usan cada vez más para aplicaciones espaciales, ya sea para bombear láseres de estado sólido, en cargas fotónicas o como fuentes para aplicaciones LIDAR o espectrométricas. En aplicaciones espaciales, los problemas de confiabilidad son una preocupación...
Para comprender la evaluación de los láseres DFB de 2,1μm para aplicaciones espaciales es importante saber más sobre los láseres semiconductores (o diodos láser) que operan en la región de longitud de onda de 1,8 μm a 3 μm. Son fuentes de luz atractivas para aplicaciones que...
La evaluación de confiabilidad de los Fotódulos Pin SI del Área fue un tema de exhibición en el Primer Simposio Internacional sobre Confiabilidad de Optoelectrónica para el Espacio que tuvo lugar en Cagliari, Italia, entre el 11 y el 14 de mayo de 2009. INTA, the Instituto...
Innovación en conferencias y publicaciones
Colaboración con la industria y centros de I + D Cooperación dentro del negocio de optoelectrónica
-Screening of a high number of devices under very harsh conditions: Custom testing setup -High Temperature: 270ºC -Low temp: -170ºC -High Voltage tests: 250V -High Power tests: 2.5A
CHARACTERIZATION OF RADIATION HARDENED SIC MOS STRUCTURES Key elements -Full characterization of several foundries comprising oxidation processing, packaging approach, etc. -To consolidate test methods and associated standards for SiC characterization
