New failure modes not observed in Silicon appear while testing SiC MOSFET and Schottky diodes and under heavy ions radiation. Gate damage in transistors remains undetected even monitoring drain current and gate leakage of the transistor under high voltage biasing conditions. Continue reading
Actividades en Alter technology : Diseño y desarrollo de una cámara personalizada Caracterización del rendimiento de píxeles Monitoreo en línea de parámetros eléctricos y adquisición de imágenes en diferentes condiciones de trabajo (radiación, temperatura, vacío) Radiación de... Continue reading
LED es una fuente de luz semiconductora de dos conductores. Los LED son pequeños y se usan comúnmente como lámparas indicadoras en dispositivos electrónicos Debido a la mayor flexibilidad de diseño, el uso eficiente de la energía y los beneficios medioambientales, el uso de LED... Continue reading
Desarrollo y caracterización de sistemas ópticos y fotónicos (Alter Technology): Dispositivos ópticos programables basados en cristales líquidos Transceptor para sistemas de criptografía Quantum Evaluación del mapa de ruta de la carga fotónica Evaluación completa de los... Continue reading
Los láseres semiconductores de alto brillo son transmisores potenciales para futuros sistemas lidar espaciales. En el marco del Proyecto Europeo BRITESPACE, proponemos una fuente de láser de All Semiconductor Lasers allsemiconductor para un sistema lidar de Absorción Diferencial... Continue reading
Las aplicaciones de monitoreo estructural de la salud de las naves espaciales se ven impulsadas por mayores restricciones en el costo de lanzamiento de cargas útiles en órbita que imponen una reducción importante en el peso estructural solo a través del uso de materiales... Continue reading
Área limpia con una cámara de flujo laminar (clase 100) Mesa óptica con estabilidad a la vibración Área libre de ESD Láser de 1064 nm, 1310 nm y 1550 nm con una opción de modulación de hasta 20 GHz Esfera integradora (250 - 2500 nm) y detectores Analizador de espectro (600 ... Continue reading
Se ha desarrollado una nueva fuente óptica integrada capaz de emitir pulsos tenues con diferentes estados de polarización y con diferentes niveles de intensidad a 100 MHz. La fuente se basa en un único diodo láser seguido de cuatro amplificadores semiconductores y polarizadores... Continue reading
En aplicaciones espaciales, los optoacopladores pueden necesitar trabajar a temperaturas muy bajas. Bajo estas condiciones de operación a baja temperatura, la degradación del dispositivo sometida a exposición a la radiación puede mostrar un comportamiento diferente en... Continue reading
La generación eficiente de pares de fotones requiere características muy estrictas en el haz de iluminación, tales como p. su tamaño, forma y estado de polarización. Para que estos pares de fotones se enreden en sus polarizaciones, debe haber una superposición de dos... Continue reading
Este artículo describe los desarrollos de configuración y algunos de los resultados obtenidos para la caracterización de temperatura de -190ºC a más de + 300ºC de componentes pasivos normalmente utilizados para misiones espaciales, pero con un rango de temperatura de... Continue reading
Tecnología de fabricación y estrategia de envasado para los diodos Schottky de carburo de silicio 300V-5A con un amplio rango de operación de temperatura (entre -170ºC y 300ºC). Estos diodos han sido diseñados para aplicaciones espaciales de ambientes severos, como las sondas de... Continue reading