Ensayos eléctricos – Caracterización
Capacidad, habilidad y experiencia internas para realizar el cribado eléctrico de cualquier tipo de tecnología de componentes electrónicos.
Para el ensayo de dispositivos pasivos, disponemos de equipos que permiten caracterizar el comportamiento eléctrico de resistencias, condensadores, bobinas, etc., en una amplia gama de condiciones de ensayo y de acuerdo con sus especificaciones aplicables.
- Medición y ensayo de dispositivos de alta potencia
- Tensión dieléctrica soportada hasta 12 KV
- Caracterización en dispositivos LCR hasta 3 GHz
Oferta global de ensayos desde obleas, troqueles singulares, paquetes hasta módulos
Medidas eléctricas
Nuestras capacidades:
Pruebas de dispositivos activos: discretos (diodos y TRT), pasando por componentes lineales y digitales estándar hasta VLSI
- Trazador de curvas de semiconductores
- Analizador de semiconductores
- Probador VLSI para la verificación de los parámetros funcionales estáticos y dinámicos
- ATE de señal mixta (Teradyne UltraFLEX)
- Pruebas a temperaturas extremas (de -80ºC a +200ºC)
- Diseño y fabricación de placas multicapa (hasta 16 capas)
- Medición de pequeñas corrientes de polarización (fA)
- Medición de convertidores de alta velocidad y precisión A/D y D/A de hasta 24 bits
- Medición de dispositivos digitales de +1000 E/S
- Medición de ASIC de señal mixta
- Medición de osciladores de alta precisión con bajo ruido de fase
- Prueba de dispositivos hasta 100 Vdc
- Prueba de dispositivos hasta 140 A
- Caracterización de la potencia de los dispositivos de RF/MW hasta 40 GHz
- Pruebas de detección y vida útil de dispositivos de RF/MW de hasta 40 GHz
- Diseño y fabricación de dispositivos de prueba para dispositivos de F/MW de hasta 40 GHz.
- Diseño y fabricación de kits de calibración personalizados para dispositivos de alta frecuencia (hasta 40 GHz)
- Diseño y fabricación de placas de RF con ajuste preciso de la impedancia
- Diseño y fabricación de adaptadores de impedancia de circuito fijo (hasta 40 GHz)
- Adaptación dinámica de la impedancia mediante sintonizadores de RF (hasta 8 GHz)
- Medición del ruido de la señal de dispositivos de alta frecuencia (hasta 40 GHz)
- Caracterización de dispositivos multipuertos de RF/MW (hasta 40 GHz)
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