Pruebas de temperatura muy extrema
Ejemplo de caracterización de partes (I): parámetros ópticos y eléctricos
Todos los parámetros ópticos y eléctricos de diferentes familias de componentes electrónicos (Electro-óptica, ASIC, RF, componentes discretos, partes pasivas, nuevos materiales, etc.) se pueden caracterizar para evaluar la utilidad de las piezas en dicho entorno.
Ejemplo de caracterización de partes (II): caracterización de SiC JFET y MOSFET
Parámetros clave de prueba:
- Caracterización de la temperatura: SiC -> T> 150ºC
- Alto voltaje (hasta 1700 V) más pruebas de alta temperatura (175ºC)
- Pruebas de alta potencia: dispositivos 17A
Ejemplo de caracterización de partes (III): creación de prototipos y caracterización de estructuras SIC MOS endurecidas por radiación
- Comprender el mecanismo de falla total de las tecnologías de SiC con respecto a los procesos de fabricación.
- Consolidar el mejor enfoque de diseño y fabricación para el futuro desarrollo de piezas.
Elementos clave
- Caracterización completa de varias fundiciones, así como procesos de oxidación, enfoque de envasado, etc.
- Consolidar los métodos de prueba y los estándares asociados para la caracterización de SiC
Ejemplo de caracterización de partes (IV): Partes fotónicas en programas relacionados con la exploración de Marte
Atmósfera de Marte
- Rango de temperatura (-135ºC a + 70ºC)
- Caracterización de la configuración óptica:
– Termopilas (para medición de temperatura sin contacto)
– Fotodiodos UV (200 nm – 400 nm)
Pruebas ambientales:
- Rango de temperatura: -135ºC a + 105ºC
- Neutrones de radiación, gamma, protones, etc.
- Life Test para simular los ciclos diurnos y nocturnos
- 600 ciclos -130ºC a + 15ºC (ciclos de invierno)
- 1410 ciclos -105ºC a + 40ºC (ciclos de verano)
- Caracterización completa de Fotodiodos UV
- De -135ºC a + 105ºC con pasos de 10ºC
- Linealidad
- Variación del ángulo de incidencia
Últimas entradas de Media ATN (ver todo)
- Inmunidad conducida - 20th mayo 2019
- Ensayos de Transitorios eléctricos - 2nd mayo 2019
- Ensayo Campo de RF radiado - 2nd mayo 2019