El desencapsulado de dispositivos encapsulados expone los elementos internos del dispositivo sometido al ensayo. La apertura de los dispositivos mediante este método permite la inspección del chip, las interconexiones y otras características que se suelen examinar normalmente durante los análisis de fallos (FA), los análisis de construcción (CA) y los análisis físicos destructivos (DPA).

Se deben llevar a cabo algunos pasos preliminares antes del desencapsulado:

  • Análisis de rayos X con objeto de determinar la forma, la ubicación y el tamaño del chip y la altura de los cables de unión. Esta información ayuda a elegir la junta o la máscara correcta o la profundidad de la ranura que se debe realizar en la superficie del encapsulado.
  • Las muestras encapsuladas en plástico se deben hornear antes del desencapsulado en húmedo. Con este paso, se elimina toda la humedad del encapsulado para que no se produzcan daños a causa de la corrosión acídica de la metalización.

Los análisis FA se basan a menudo en el grabado selectivo de polímeros encapsulantes sin comprometer la integridad de las uniones de cables y las capas del dispositivo. Esto se consigue usando las siguientes técnicas (de conformidad con MIL-STD-883, MIL-STD-750 y MIL-STD-1580):

  • Apertura manual de la tapa usando métodos mecánicos y realizando la inspección visual interna. Un resultado rápido es posible con un equipo fácilmente disponible. El Wet chemical jet etching equipmentdesencapsulado mecánico ofrece ventajas clave para la preparación de muestras en la parte superior (en comparación con el grabado químico y el desencapsulado en seco), así como para evitar los cables de unión y, en consecuencia, optimizar la supervivencia de los sistemas de desencapsulado en seco y grabado químico, ya que así se evita que la parte interior de los componentes se dañe a causa de los agentes de ensayo.
  • Grabado mediante chorro químico húmedo. Este método elimina algunos de los problemas de seguridad inherentes al grabado húmedo manual y ofrece una eliminación rápida, limpia y localizada del encapsulante en la zona del chip, normalmente, sin provocar daños en el componente. Es necesario usar una técnica adecuada para proteger los cables de cobre, ya que no todos los equipos de grabado mediante chorro ofrecen garantías al respecto.

 

FIGURA. Equipo de grabado mediante chorro químico húmedo.Plasma Giga-Batch

  • Grabado por plasma. Las propiedades del proceso de grabado por plasma son altamente selectivas, ya que el proceso de grabado no afecta a las interconexiones y las almohadillas de conexión. Este sistema permite eliminar la capa de pasivación con vidrio que protege las vías de metal de algunos dispositivos semiconductores, así como eliminar la cubierta de plástico. El plasma destruye ciertos materiales sin dañar los demás, lo que posibilita un análisis muy preciso.

 

FIGURA. Sistema GIGA-batch de plasma

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