Microscopio electrónico de barrido (SEM) – Haz de iones focalizados (FIB) para inspecciones

SEM es una herramienta disponible con gran ampliación para analizar los defectos de manipulación, construcción o diseño. Se puede usar para comprobar la metalización de las interconexiones de los circuitos integrados (cobertura del paso de metal, etc.) o para realizar un estudio tecnológico en profundidad (ingeniería inversa, corte transversal de chip, análisis de fallos, etc.).

Este tipo de inspección se realiza utilizando un microscopio electrónico que produce imágenes de una muestra al efectuar un barrido con un haz de electrones focalizados. La interacción entre los electrones y los átomos en la muestra genera señales que contienen información sobre la topografía de la superficie del ensayo y la composición elemental.

Las tres señales que ofrecen la mayor cantidad de datos son los electrones secundarios, los electrones retrodispersados y los rayos X. Los electrones secundarios se emiten desde los átomos de la superficie superior, lo que genera una imagen de alta resolución fácil de interpretar sobre las características topográficas de la superficie con una ampliación de hasta 100 000x y una resolución espacial superior a 50 Å. Los electrones retrodispersados son electrones del haz primario reflejados desde los átomos en el sólido. La imagen que se produce muestra la distribución de la fase química en la muestra.

La emisión de rayos X provocada por la interacción del haz primario con los átomos en la muestra revela el espectro de energía que proporciona información sobre la composición elemental cuantitativa y cualitativa, además de mostrar la distribución elemental en la superficie de una muestra (EDS).

Esta técnica de ensayo es útil para analizar el diseño o la construcción, así como analizar defectos de manipulación, construcción o diseño. También se puede usar para comprobar la metalización de interconexión de los circuitos integrados (cobertura del paso de metal, etc.) o para realizar un estudio tecnológico en profundidad (ingeniería inversa, corte transversal de chip, análisis de fallos, etc.).

Asimismo, el equipo SEM se puede complementar con dispositivos tales como un sistema XRF/EDS (análisis elemental cualitativo y cuantitativo) o para una configuración FIB (microsecciones).

Alter Technology realiza los ensayos FIB con un microscopio dual FEI de primera categoría. La columna SEM (columna FESEM con lente de inmersión Elstar XHR) tiene una resolución de 0,8 nm a 15 kV y 0,9 nm a 1 kV. Está diseñada para alcanzar una caracterización 2D y 3D con una resolución extremadamente alta (XHR), nanoprototipos y una mayor calidad de la preparación de muestras.

Análisis preciso mediante corte transversal

helios nanolab

Análisis de materiales

En función de los componentes y del área que haya que inspeccionar, los exámenes SEM se realizan de acuerdo con los distintos estándares, como MIL-STD-750, método 2077 o MIL-STD-883, método 2018, entre otros. Como ejemplo, el método 2018 de MIL-STD-883 ofrece una forma de evaluar la calidad y aceptabilidad de la metalización de interconexión de un dispositivo en un chip o una oblea de un circuito integrado de óxido no planar mientras se realiza un ensayo SEM en dispositivos pasivizados.

SCANNING ELECTRON MICROSCOPE

This post is also available in: Inglés