El haz de iones focalizados, también conocido como “sistema de fresado por haz de iones”, es una técnica que se usa especialmente en el sector de los semiconductores y la ciencia de los materiales para la ablación, la deposición y el análisis de materiales específicos en el sitio. Como es un proceso destructivo para el componente, la tecnología FIB se usa para efectuar microsecciones en DPA y también para el análisis de fallos. Una configuración FIB es un complemento del equipo SEM, pero, mientras que SEM utiliza un haz de electrones focalizados para generar la imagen de la muestra en la cámara, la configuración FIB utiliza en su lugar un haz de iones focalizados. Cuando los iones de galio con un alto nivel de energía golpean con la muestra, los átomos de la superficie salen despedidos. Los átomos de galio también se implantarán en los nanómetros de la parte superior de la superficie y esta quedará amorfa. Como el haz de iones hace que los átomos salgan despedidos, la tecnología FIB se puede usar para eliminar localmente o fresar el material.
Se trata de un método muy preciso de efectuar microsecciones en los chips, lo que permite medir las diferentes capas de microcircuitos.
Microsecciones mediante FIB
Las microsecciones mediante FIB se realizan de acuerdo con los métodos de ensayo aplicables, como MIL-STD-883, métodos 2010 y 2018. El estándar técnico NASA MSFC 3619 sobre mitigación y evaluación de riesgos recomienda el uso de esta técnica con objeto de identificar anomalías en la construcción y determinar las características del chip y las estructuras internas de los componentes.
El haz de iones focalizados es una técnica imprescindible no solo para la aceptación de obleas, la validación de los cambios de diseño y el análisis de fallos, sino también para la validación de las características de los chips internos que puede revelar cualquier posible problema de fiabilidad a largo plazo. Esta técnica es válida no solo para los circuitos integrados, sino que también es especialmente aplicable a MEMS.
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